#1 |
数量:7500 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#2 |
数量:7500 |
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最小起订金额:¥₩600 新加坡 当天发货,5-8个工作日送达. |
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#3 |
数量:2972 |
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最小起订量:1 美国加州 当天发货,1-3个工作日送达. |
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规格书 |
BD159 |
Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
标准包装 | 500 |
晶体管类型 | NPN |
- 集电极电流(Ic)(最大) | 500mA |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 350V |
Vce饱和(最大)@ IB,IC | - |
电流 - 集电极截止(最大) | - |
直流电流增益(HFE)(最小值)@ IC,VCE | 30 @ 50mA, 10V |
功率 - 最大 | 20W |
频率转换 | - |
安装类型 | Through Hole |
包/盒 | TO-225AA, TO-126-3 |
供应商器件封装 | TO225AA |
包装材料 | Bulk |
包装 | 3TO-225 |
类型 | NPN |
引脚数 | 3 |
最大集电极发射极电压 | 350 V |
集电极最大直流电流 | 0.5 A |
最小直流电流增益 | 30@50mA@10V |
最大集电极基极电压 | 375 V |
工作温度 | -65 to 150 °C |
最大功率耗散 | 20000 mW |
安装 | Through Hole |
标准包装 | Boxed |
标准包装 | Bulk |
集电极最大直流电流 | 0.5 |
欧盟RoHS指令 | Compliant |
最高工作温度 | 150 |
最低工作温度 | -65 |
最大功率耗散 | 20000 |
最大基地发射极电压 | 5 |
封装 | Bulk |
每个芯片的元件数 | 1 |
最大集电极基极电压 | 375 |
供应商封装形式 | TO-225 |
最大集电极发射极电压 | 350 |
电流 - 集电极( Ic)(最大) | 500mA |
晶体管类型 | NPN |
安装类型 | Through Hole |
电压 - 集电极发射极击穿(最大) | 350V |
供应商设备封装 | TO225AA |
功率 - 最大 | 20W |
封装/外壳 | TO-225AA, TO-126-3 |
直流电流增益( hFE)(最小值) Ic,Vce时 | 30 @ 50mA, 10V |
RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
工厂包装数量 | 500 |
产品种类 | Transistors Bipolar - BJT |
晶体管极性 | NPN |
发射极 - 基极电压VEBO | 5 V |
直流集电极/增益hfe最小值 | 30 |
集电极 - 发射极最大电压VCEO | 350 V |
安装风格 | SMD/SMT |
集电极 - 基极电压VCBO | 375 V |
最低工作温度 | - 65 C |
配置 | Single |
最高工作温度 | + 150 C |
RoHS | RoHS Compliant |
连续集电极电流 | 0.5 A |
集电极电流( DC)(最大值) | 0.5 A |
集电极 - 基极电压 | 375 V |
集电极 - 发射极电压 | 350 V |
发射极 - 基极电压 | 5 V |
功率耗散 | 20 W |
工作温度范围 | -65C to 150C |
包装类型 | TO-225 |
元件数 | 1 |
直流电流增益(最小值) | 30 |
工作温度分类 | Military |
弧度硬化 | No |
集电极电流(DC ) | 0.5 A |
直流电流增益 | 30 |
系列 | BD159 |
品牌 | ON Semiconductor |
身高 | 11.1 mm |
宽度 | 3 mm |
长度 | 7.8 mm |
Pd - Power Dissipation | 20 W |
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